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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護二極管都有相同的保護效果？
本文針對目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護器件得出安森美的保護器件更具競爭性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護二極管 箝位電壓
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過壓保護的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護 電路 MOSFET
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過壓保護的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護 電路 MOSFET
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靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過程中的危害及防護措施
如何規(guī)范化生產(chǎn)，如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品？本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過程的靜電防護角度，討論該過程靜電帶來的危害及其防護方法。
2008-10-23
靜電 LED 防護措施 危害
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靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過程中的危害及防護措施
如何規(guī)范化生產(chǎn)，如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品？本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過程的靜電防護角度，討論該過程靜電帶來的危害及其防護方法。
2008-10-23
靜電 LED 防護措施 危害
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抑制耳機放大器RF噪音的兩種方法
本文主要討論抑制耳機放大器RF噪音的方法，提出了兩種方法：通過屏蔽并縮短輸入信號引線降低輸入放大器的RF能量；選擇具有RF抑制功能的放大器，使耦合到輸出端的噪聲最小。并以GSM手機為例具體闡釋了這兩種方法的實現(xiàn)。
2008-10-23
抑制RF噪音 音頻放大器 屏蔽
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電子信息產(chǎn)業(yè)出口受制 發(fā)展后勁面臨考驗
隨著十月華爾街金融風暴的加劇，我國電子信息產(chǎn)業(yè)的出口經(jīng)受嚴峻考驗。工業(yè)和信息化部日前在第十屆高交會上發(fā)布的《2008年Q3季度中國電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟運行公報》顯示，電子信息產(chǎn)業(yè)今年前三季度經(jīng)濟運行保持平穩(wěn)發(fā)展，但延續(xù)了過往幾個季度增速放緩的態(tài)勢，經(jīng)濟運行增速始終低于全國工業(yè)平均水平，...
2008-10-22
電子信息產(chǎn)業(yè) 通訊 計算機 家用視聽業(yè)
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