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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
功率器件 瞬態(tài)熱測量
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在校準中使用埋入式齊納技術帶來極高精度優(yōu)勢
精密測試設備依靠精確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，確保所有測量結(jié)果都能準確地反映受測器件的狀態(tài)。在測試和測量中，任何偏移誤差、增益誤差或有效位數(shù)減少都將對測量結(jié)果產(chǎn)生負面影響。然而，遺憾的是，在高精度系統(tǒng)中，所有這些誤差都無法完全避免。溫度漂移或長期漂移等問題最終會以增益誤差或偏移誤差的形式...
2024-12-09
齊納技術 精密測試設備
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高精度與低功耗的醫(yī)療保健產(chǎn)品解決方案
隨著醫(yī)療技術的迅速發(fā)展和全球?qū)】倒芾硇枨蟮脑黾?，高精度與低功耗的醫(yī)療保健產(chǎn)品正逐漸成為行業(yè)趨勢的核心。這類產(chǎn)品不僅能夠提供準確、及時的健康數(shù)據(jù)，還大幅延長了設備的使用壽命，滿足了便攜式和長期監(jiān)測需求。從可穿戴設備到遠程健康監(jiān)控系統(tǒng)，這些解決方案正為個人和醫(yī)療機構提供更有效的...
2024-12-09
醫(yī)療保健
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
功率器件 熱容
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終于搞明白差模噪聲與共模噪聲
開關穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導輻射(CE)。本文重點討論傳導輻射，其可進一步分為兩類：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對CM噪聲有效的EMI抑制技術不一定對DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時間和成本。
2024-12-05
差模噪聲與 共模噪聲
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延長蜂窩物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品的電池壽命
許多物聯(lián)網(wǎng)設備都由電池供電，而其中一項重要運作因素，就是正常使用情況下的電池壽命。延長電池壽命可以改善用戶體驗、降低維護成本并減少浪費。
2024-12-04
蜂窩物聯(lián)網(wǎng) 終端產(chǎn)品 電池壽命
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采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能
實時微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎設施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設計要求方面發(fā)揮著至關重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS)，這些設備都必須在惡劣環(huán)境中為時間關鍵型任務提供快速、確定性的性能。
2024-12-04
C29 內(nèi)核 MCU 高壓系統(tǒng)
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【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學測試方案詳解
使用電壓表或SMU源表等測試設備（如數(shù)字多用表的電壓測量檔等），將電壓表的探頭與纖維電學器件的兩個輸出電極相連接，確保連接牢固且接觸良好，以減少接觸電阻對測量結(jié)果的影響。當纖維電學器件處于工作狀態(tài)（如受到特定刺激，像壓電纖維器件受到外力作用、光電器件受到光照等）或在特定的電路環(huán)境...
2024-12-04
纖維器件 電學測試
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-04
SiC 柵極絕緣層
- 貿(mào)澤推出RISC-V技術資源中心 探索開源的未來
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