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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手
CMOS傳感器因具有低功耗、體積小、運(yùn)行速度快等優(yōu)點(diǎn)而迅速成為新成像技術(shù)的發(fā)展方向。CMOS能同時(shí)實(shí)現(xiàn)攝像頭的拍照和視頻功能，使得移動(dòng)電話已成為CMOS的最忠實(shí)擁護(hù)者。CMOS成像技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更安全、更智能的駕駛，CMOS也將朝著安保與監(jiān)控領(lǐng)域發(fā)展。
2008-09-28
CMOS 傳感器 攝像頭 成像技術(shù)
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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手
CMOS傳感器因具有低功耗、體積小、運(yùn)行速度快等優(yōu)點(diǎn)而迅速成為新成像技術(shù)的發(fā)展方向。CMOS能同時(shí)實(shí)現(xiàn)攝像頭的拍照和視頻功能，使得移動(dòng)電話已成為CMOS的最忠實(shí)擁護(hù)者。CMOS成像技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更安全、更智能的駕駛，CMOS也將朝著安保與監(jiān)控領(lǐng)域發(fā)展。
2008-09-28
CMOS 傳感器 攝像頭 成像技術(shù)
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如何快速解決高速系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高，系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題倍受關(guān)注。解決信號(hào)完整性問(wèn)題要從系統(tǒng)設(shè)計(jì)入手，減少抖動(dòng)的影響。解決信號(hào)完整性問(wèn)題主要是解決系統(tǒng)的功率失配問(wèn)題，主要方法是使用均衡補(bǔ)償功率電平失配和使用去加重技術(shù)補(bǔ)償功率電平失配。
2008-09-28
完整性 均衡 去加重
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如何快速解決高速系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高，系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題倍受關(guān)注。解決信號(hào)完整性問(wèn)題要從系統(tǒng)設(shè)計(jì)入手，減少抖動(dòng)的影響。解決信號(hào)完整性問(wèn)題主要是解決系統(tǒng)的功率失配問(wèn)題，主要方法是使用均衡補(bǔ)償功率電平失配和使用去加重技術(shù)補(bǔ)償功率電平失配。
2008-09-28
完整性 均衡 去加重
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軟性傳感器發(fā)展應(yīng)用環(huán)境和市場(chǎng)趨勢(shì)
由于易于攜帶或手持式電子產(chǎn)品的需求趨勢(shì)大幅增加，進(jìn)而以塑料基板生產(chǎn)制造的電子產(chǎn)品近年來(lái)備受矚目。因?yàn)樗芰喜牧系娜埸c(diǎn)大約在120℃，無(wú)法進(jìn)行較高溫之組件制程，因此，若要在此基材上制作出可達(dá)高效能的傳感器是相對(duì)困難的，探討現(xiàn)有克服此材料限制的相關(guān)制程也是本文其中的一個(gè)重點(diǎn)。
2008-09-27
軟性傳感器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
MKP339 X2 MKP338 2 X2 MKP336 2 X2 薄膜電容器
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